IR推出全新HEXFET功率MOSFET系列

发布时间：2020-06-30 23:20:30 阅读：次来源：推拉门厂家

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。

本文引用地址：新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”

新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号

BVDSS

25°C下的最大Id

10V下的

典型/最大RDS(on)

(m?)

4.5V下的

典型/最大RDS(on)

(m?)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6A

51/64

82/103

4.8nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3A

135/165

220/270

2.0nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2A

22/27

33/40

2.6nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7A

80/100

123/154

1.0nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6A

44/56

62/78

2.6nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7A

78/92

98/116

2.5nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2A

356/460

475/620

0.4nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6A

178/220

190/235

2.5nC